BCV46E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCV46 INF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 10000; 360mW; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C~150°C; Ersatz: BCV46E6327; BCV46E6327HTSA1;
Parameter
Verlustleistung: 360mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV46E6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
19 stk.
Anzahl Stück 5+ 19+
Nettopreis (EUR) 0,2482 0,0553
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Standard-Verpackung:
19
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV46E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
16100 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0575
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 360mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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