BCV46E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCV46 INF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 10000; 360mW; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C~150°C; Ersatz: BCV46E6327; BCV46E6327HTSA1;
Parameter
Verlustleistung: 360mW
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV46E6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
19 stk.
Anzahl Stück 5+ 19+
Nettopreis (EUR) 0,2447 0,0545
Standard-Verpackung:
19
Verlustleistung: 360mW
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP