BCV47 smd BCV47TA BCV47E6327HTSA1 BCV47E6327XT

Symbol Micros: TBCV47
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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darl.NPN 0,5A 60V 200mW 200MHz darl.NPN 0,5A 60V 200mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: 360mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9700 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2252 0,1143 0,0692 0,0548 0,0500
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 360mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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