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BCV47 smd BCV47TA BCV47E6327HTSA1 BCV47E6327XT

Symbol Micros: TBCV47

Gehäuse: SOT23

darl.NPN 0,5A 60V 200mW 200MHz darl.NPN 0,5A 60V 200mW 200MHz

Parameter

Verlustleistung:	360mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Grenzfrequenz:	170MHz
Stromverstärkungsfaktor:	10000
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

10020 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2112	0,1072	0,0650	0,0514	0,0469

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

24600 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0491

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

12237 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0469

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV47E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

99001 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0469

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-10-30

Anzahl Stück: 6000

Verlustleistung:	360mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Grenzfrequenz:	170MHz
Stromverstärkungsfaktor:	10000
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1471	0,0589	0,0343	0,0286	0,0268