BCV47 China

Symbol Micros: TBCV47 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Darlington NPN 500mA 60V 200mW 220MHz Darlington NPN 500mA 60V 200mW 220MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: FUXINSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: FUXINSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN