BCV49

Symbol Micros: TBCV49
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
darl.NPN 500mA 60V 1W 170MHz darl.NPN 500mA 60V 1W 170MHz
Parameter
Verlustleistung: 1W
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCV49TA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3896 0,2146 0,1688 0,1563 0,1499
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV49H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3896 0,2146 0,1688 0,1563 0,1499
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1W
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN