BCV49 SOT89 NEXPERIA

Symbol Micros: TBCV49 NXP

Gehäuse: SOT89

NPN Darlington transistor BCV49,115; BCV49,135;

Parameter

Verlustleistung:	1,3W
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	10000
Gehäuse:	SOT89
Grenzfrequenz:	220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV49,115 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7312	0,4632	0,3644	0,3315	0,3174

Verlustleistung:	1,3W
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	10000
Gehäuse:	SOT89
Grenzfrequenz:	220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN