BCV49 SOT89 NEXPERIA

Symbol Micros: TBCV49 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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NPN Darlington transistor BCV49,115; BCV49,135;
Parameter
Verlustleistung: 1,3W
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 220MHz
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 1,3W
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 220MHz
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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