BCV49TA DIODES

Symbol Micros: TBCV49TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Transistor NPN - Darlington; 60V; 10V; 170MHz; 500mA; 1,5W; -55°C~150°C; Transistor NPN - Darlington; 60V; 10V; 170MHz; 500mA; 1,5W; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,5W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 1,5W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN