BCV65

Symbol Micros: TBCV65
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT143
NPN, PNP 100mA 30V 250mW BCV65,215; BCV65.215;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT143
Stromverstärkungsfaktor: 800
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT143
Stromverstärkungsfaktor: 800
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP