BCW33 NXP

Symbol Micros: TBCW33 NXP

Gehäuse: SOT23-3

Transistor NPN; 600; 250mW, 32V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; BCW33LT1G; BCW33LT3G; BCW33,215; BCW33.215;

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	NXP
Gehäuse:	SOT23-3
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	600
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	32V

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	NXP
Gehäuse:	SOT23-3
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	600
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	32V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN