BCW33LT1G SOT23-3 ONS

Symbol Micros: TBCW33 ONS

Gehäuse: SOT23-3

Transistor NPN; 800; 225mW, 32V; 100mA; 180MHz, -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	225mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor:	800
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	32V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Verlustleistung:	225mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor:	800
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	32V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN