BCW60B

Symbol Micros: TBCW60b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 32V 250mW 250MHz NPN 100mA 32V 250mW 250MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 310
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW60BE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0896 0,0352 0,0206 0,0151 0,0138
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 310
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN