BCW60C smd

Symbol Micros: TBCW60c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 32V 330mW 250MHz NPN 100mA 32V 330mW 250MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 460
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW60CE6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2212 0,1121 0,0679 0,0538 0,0491
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 460
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN