BCW60D
Symbol Micros:
TBCW60d
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 32V 250mW 250MHz NPN 100mA 32V 250mW 250MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 32V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW 60D E6327 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0921 | 0,0364 | 0,0212 | 0,0155 | 0,0142 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW60DE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0542 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 32V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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