BCW61B

Symbol Micros: TBCW61b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 32V 250mW 100MHz PNP 100mA 32V 250mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 310
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 310
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP