BCW61C smd

Symbol Micros: TBCW61c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 32V 330mW 250MHz PNP 100mA 32V 330mW 250MHz

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Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 460
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW61CE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1189 0,0545 0,0296 0,0222 0,0198
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 460
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP