BCW61D

Symbol Micros: TBCW61d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 200mA 32V 330mW 180MHz PNP 200mA 32V 330mW 180MHz
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCW61D RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2146 0,1019 0,0574 0,0435 0,0390
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP