BCW66G smd

Symbol Micros: TBCW66g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 800mA 45V 330mW 170MHz hfe160min (100mA) NPN 800mA 45V 330mW 170MHz hfe160min (100mA)
Parameter
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: CDIL
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: TBCW66G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1013 0,0398 0,0233 0,0170 0,0156
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BCW66GLT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
180000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0156
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BCW66GLT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
306000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0156
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: CDIL
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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