BCW66H INFINEON
Symbol Micros:
TBCW66h
Gehäuse: SOT23
NPN 800mA 45V 330mW 100MHz-170MHz hfe160min (100mA) NPN 800mA 45V 330mW 100MHz-170MHz hfe160min (100mA)
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW66H Pbf EH.
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1406 | 0,0666 | 0,0373 | 0,0281 | 0,0256 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BCW66HTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
90000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0523 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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