BCW66H INFINEON

Symbol Micros: TBCW66h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 800mA 45V 330mW 100MHz-170MHz hfe160min (100mA) NPN 800mA 45V 330mW 100MHz-170MHz hfe160min (100mA)
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW66H Pbf EH. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1424 0,0674 0,0377 0,0285 0,0259
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole