BCW66HTA
Symbol Micros:
TBCW66HTA Diodes
Gehäuse: SOT23-3
Transistor NPN; 630; 310mW, 45V; 800mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 310mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 310mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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