BCW66KH

Symbol Micros: TBCW66kh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 800mA 45V 500mW 170MHz NPN 800mA 45V 500mW 170MHz
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW66KHE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1920 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2025 0,0963 0,0541 0,0410 0,0368
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN