BCW67B

Symbol Micros: TBCW67b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 800mA 32V 330mW 200MHz PNP 800mA 32V 330mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP