BCW67B

Symbol Micros: TBCW67b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP 800mA 32V 330mW 200MHz PNP 800mA 32V 330mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW67BE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1091 0,0501 0,0272 0,0204 0,0182
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole