BCW68H smd
Symbol Micros:
TBCW68h
Gehäuse: SOT23
PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA) PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA)
Parameter
Verlustleistung: | 330mW |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
Gehäuse: | SOT23 |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2825 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1844 | 0,0876 | 0,0492 | 0,0375 | 0,0335 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
123000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0356 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
4110000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0350 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
24500 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0468 |
Verlustleistung: | 330mW |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
Gehäuse: | SOT23 |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole