BCW68H smd

Symbol Micros: TBCW68h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA) PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA)
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2805 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1852 0,0880 0,0494 0,0376 0,0336
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0523
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
2586000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0507
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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