BCW68H smd
Symbol Micros:
TBCW68h
Gehäuse: SOT23
PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA) PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA)
Parameter
Verlustleistung: | 330mW |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
Gehäuse: | SOT23 |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2825 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1848 | 0,0878 | 0,0493 | 0,0376 | 0,0336 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
825000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0358 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BCW68HTA
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
93000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0412 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
24500 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0470 |
Verlustleistung: | 330mW |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
Gehäuse: | SOT23 |
Grenzfrequenz: | 200MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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