BCW68H smd

Symbol Micros: TBCW68h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA) PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA)
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2805 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1834 0,0872 0,0489 0,0373 0,0333
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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