BCW68H smd
Symbol Micros:
TBCW68h
Gehäuse: SOT23
PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA) PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA)
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2805 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1803 | 0,0857 | 0,0481 | 0,0366 | 0,0328 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCW68HE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
19000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0546 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 800mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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