BCX41QTA

Symbol Micros: TBCX41QTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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125V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 125V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 63
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX41QTA RoHS EK. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
630 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2451 0,1356 0,0901 0,0752 0,0700
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX41QTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2451 0,1356 0,0901 0,0752 0,0700
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 63
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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