BCX41QTA

Symbol Micros: TBCX41QTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
125V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 125V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 63
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX41QTA RoHS EK. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 700+ 2800+
Nettopreis (EUR) 0,2534 0,1227 0,0871 0,0758 0,0722
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700
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX41QTA Gehäuse: SOT23  
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Nettopreis (EUR) 0,0722
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-04-30
Anzahl Stück: 630
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 63
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN