BCX41QTA

Symbol Micros: TBCX41QTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
125V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 125V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 63
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX41QTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2390 0,1309 0,0858 0,0740 0,0683
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX41QTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2390 0,1323 0,0879 0,0733 0,0683
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 63
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 125V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN