BCX51 JGSEMI

Symbol Micros: TBCX51 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
PNP-Transistor; 250; 1,3W, 45V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCX51,115; BCX51E6327HTSA1; BCX51H6327XTSA1; BCX51TA; BCX51-TP;
Parameter
Verlustleistung: 1,3W
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BCX51 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2066 0,0826 0,0479 0,0401 0,0375
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,3W
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP