BCX51-10 JGSEMI

Symbol Micros: TBCX5110 JGS

Gehäuse: SOT89

PNP-Transistor; 160; 1,3W, 45V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCX51-10,115; BCX5110TA; BCX51-10-TP;

Parameter

Verlustleistung:	1,3W
Hersteller:	JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	160
Gehäuse:	SOT89
Grenzfrequenz:	50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BCX51-10 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,2070	0,0828	0,0480	0,0402	0,0376

Verlustleistung:	1,3W
Hersteller:	JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	160
Gehäuse:	SOT89
Grenzfrequenz:	50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP