BCX51-10 SOT89 LGE

Symbol Micros: TBCX5110 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor PNP; 160; 500mW, 45V; 1A; 50MHz, -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BCX51-10-LGE;
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: LGE
Gehäuse: SOT89
Stromverstärkungsfaktor: 160
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BCX51-10 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,1964 0,0983 0,0586 0,0485 0,0436
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: LGE
Gehäuse: SOT89
Stromverstärkungsfaktor: 160
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole