BCX5216QTA

Symbol Micros: TBCX5216QTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor GP BJT PNP 45V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT PNP 45V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 1W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 1W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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