BCX56-10 SOT89 HT SEMI

Symbol Micros: TBCX5610 HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Transistor NPN; 250; 500mW; 80V; 1A; 1300MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BCX56-10,115; BCX56-10,135; BCX5610E6327HTSA1;
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: HT
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 130MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 500mW
Hersteller: HT
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 130MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN