BCX5610TA

Symbol Micros: TBCX5610TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 63
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX5610TA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r  
Auf Lager:
1490 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2230 0,1219 0,0799 0,0692 0,0637
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 2W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 63
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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