BCX5616TA

Symbol Micros: TBCX5616TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCX5616TA RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2376 0,1301 0,0854 0,0736 0,0680
Standard-Verpackung:
1000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-06-19
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN