BCX5616TA

Symbol Micros: TBCX5616TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Transistor GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT89
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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