BCX56TA

Symbol Micros: TBCX56TA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Transistor GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R BCX56TC
Parameter
Verlustleistung: 1W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 1W
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN