BD13716STU

Symbol Micros: TBD13716stu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Transistor GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Transistor GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD13716STU RoHS Gehäuse: TO126  
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 60+ 180+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7161 0,4540 0,3510 0,3276 0,3112
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Standard-Verpackung:
60/180
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD13716STU RoHS Gehäuse: TO126  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 60+ 180+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7161 0,4540 0,3510 0,3276 0,3112
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Standard-Verpackung:
20
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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