BD139

Symbol Micros: TBD139
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139 RoHS Gehäuse: TO126  
Auf Lager:
1631 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2870 0,1834 0,1286 0,1118 0,1045
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/1000
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole