BD139 JSMICRO

Symbol Micros: TBD139 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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NPN-Transistor; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G;
Parameter
Verlustleistung: 8W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Grenzfrequenz: 190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD139 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3143 0,1730 0,1144 0,0952 0,0896
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 8W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Grenzfrequenz: 190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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