BD139-10

Symbol Micros: TBD13910
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 160
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: TBD139.10 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2461 0,1312 0,1022 0,0923 0,0893
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 160
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN