BD139-10

Symbol Micros: TBD13910 STM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT32
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Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 12,5W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: SOT32
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139-10 RoHS Gehäuse: SOT32 Datenblatt
Auf Lager:
700 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 700+
Nettopreis (EUR) 0,3147 0,2057 0,1468 0,1282 0,1212
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Standard-Verpackung:
50/700
Verlustleistung: 12,5W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: SOT32
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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