BD139-16 TO126 HT SEMI

Symbol Micros: TBD13916 HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM;
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: HT SEMI
Gehäuse: TO126
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BD139 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
870 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2103 0,1160 0,0768 0,0640 0,0601
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: HT SEMI
Gehäuse: TO126
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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