BD139-16 JSMICRO

Name: TBD13916 JSM TBD13916 JSM
Brand: JSMSEMI
SKU: TBD13916JSM
Price: 0.0576 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBD13916 JSM

Gehäuse: TO126

NPN-Transistor; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;

Parameter

Verlustleistung:	8W
Hersteller:	JSMICRO
Gehäuse:	TO126
Stromverstärkungsfaktor:	250
Grenzfrequenz:	190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2589	0,1297	0,0772	0,0606	0,0576

Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126bulk

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2589	0,1308	0,0791	0,0624	0,0576

Verlustleistung:	8W
Hersteller:	JSMICRO
Gehäuse:	TO126
Stromverstärkungsfaktor:	250
Grenzfrequenz:	190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	5+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2104	0,1521	0,0885	0,0666	0,0601

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2635	0,1688	0,1184	0,1029	0,0962