BD139-16 JSMICRO

Name: TBD13916 JSM TBD13916 JSM
Brand: JSMicro Semiconductor
SKU: TBD13916JSM
Price: 0.0582 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBD13916 JSM

Gehäuse: TO126

NPN-Transistor; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;

Parameter

Verlustleistung:	8W
Grenzfrequenz:	190MHz
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	JSMICRO
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2618	0,1323	0,0799	0,0631	0,0582

Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126bulk

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2618	0,1323	0,0799	0,0631	0,0582

Verlustleistung:	8W
Grenzfrequenz:	190MHz
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	JSMICRO
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	5+	10+	50+	300+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2361	0,1709	0,0996	0,0748	0,0676

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2688	0,1711	0,1199	0,1043	0,0975