BD140-16

Symbol Micros: TBD14016 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Transistor: PNP; Bipolar; 80V; 1,5A; 12,5W; TO126 Transistor: PNP; Bipolar; 80V; 1,5A; 12,5W; TO126
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Grenzfrequenz: 1MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-07-20
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 1,25W
Grenzfrequenz: 1MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP