BD237
Symbol Micros:
TBD237 b
Gehäuse: TO126
NPN 2A 80V 25W 3MHz NPN 2A 80V 25W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: | 1,25W |
Hersteller: | LGE |
Stromverstärkungsfaktor: | 40 |
Gehäuse: | TO126 |
Grenzfrequenz: | 3MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: HT SEMI
Hersteller-Teilenummer: BD237 RoHS
Gehäuse: TO126bulk
Auf Lager:
950 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2562 | 0,1410 | 0,0933 | 0,0778 | 0,0731 |
Verlustleistung: | 1,25W |
Hersteller: | LGE |
Stromverstärkungsfaktor: | 40 |
Gehäuse: | TO126 |
Grenzfrequenz: | 3MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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