BD237

Symbol Micros: TBD237 b

Gehäuse: TO126

NPN 2A 80V 25W 3MHz NPN 2A 80V 25W 3MHz

Parameter

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	40
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BD237 RoHS Gehäuse: TO126bulk

Auf Lager:

250 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2559	0,1409	0,0932	0,0777	0,0730

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BD237 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2559	0,1409	0,0932	0,0777	0,0730

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-12-31

Anzahl Stück: 500

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	40
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN