BD237
Symbol Micros:
TBD237 b
Gehäuse: TO126
NPN 2A 80V 25W 3MHz NPN 2A 80V 25W 3MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 1,25W |
| Hersteller: | LGE |
| Stromverstärkungsfaktor: | 40 |
| Gehäuse: | TO126 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: HT SEMI
Hersteller-Teilenummer: BD237 RoHS
Gehäuse: TO126bulk
Auf Lager:
950 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2562 | 0,1410 | 0,0933 | 0,0778 | 0,0731 |
| Verlustleistung: | 1,25W |
| Hersteller: | LGE |
| Stromverstärkungsfaktor: | 40 |
| Gehäuse: | TO126 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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