BD237

Symbol Micros: TBD237 b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
NPN 2A 80V 25W 3MHz NPN 2A 80V 25W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: LGE
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BD237 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2564 0,1402 0,0920 0,0760 0,0732
Standard-Verpackung:
500/1000
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: LGE
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN