BD237
Symbol Micros:
TBD237 b
Gehäuse: TO126
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BD237-ST; TBD237;
Parameter
| Verlustleistung: | 1,25W |
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | TO126 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 40 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: BD237 RoHS
Gehäuse: TO126bulk
Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2485 | 0,1374 | 0,0909 | 0,0757 | 0,0711 |
Hersteller: HT SEMI
Hersteller-Teilenummer: BD237 RoHS
Gehäuse: TO126bulk
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2485 | 0,1374 | 0,0909 | 0,0757 | 0,0711 |
| Verlustleistung: | 1,25W |
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | TO126 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 40 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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