BD241C

Symbol Micros: TBD241c ST
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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NPN 3A 100V 40W 3MHz NPN 3A 100V 40W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 25
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD241C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5313 0,3235 0,2479 0,2201 0,2125
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Standard-Verpackung:
50/300
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 25
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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