BD242C

Symbol Micros: TBD242c

Gehäuse: TO220

PNP 3A 100V 40W 3MHz PNP 3A 100V 40W 3MHz

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Parameter

Verlustleistung:	40W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	25
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD242CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9749	0,7148	0,5742	0,4922	0,4640

Verlustleistung:	40W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	25
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP