BD242C

Symbol Micros: TBD242c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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PNP 3A 100V 40W 3MHz PNP 3A 100V 40W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 25
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD242CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9717 0,7124 0,5723 0,4905 0,4625
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Standard-Verpackung:
50/150
Verlustleistung: 40W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 25
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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