BD242C

Symbol Micros: TBD242c c

Gehäuse: TO220

Transistor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 25; 40W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	40W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	25
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Verlustleistung:	40W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	25
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP