BD243CG TO220 ON

Name: TBD243cg ON TBD243cg ON
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TBD243cgON
Price: 0.5125 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBD243cg ON

Gehäuse: TO220

Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	65W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	30
Grenzfrequenz:	3MHz
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

940 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	350+
Nettopreis (EUR)	1,0765	0,7138	0,5499	0,5195	0,5125

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220

Externes Lager:

8400 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5125

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220

Externes Lager:

457 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5125

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2385 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5125

Verlustleistung:	65W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	30
Grenzfrequenz:	3MHz
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3159	0,2064	0,1479	0,1294	0,1212

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5804	0,3510	0,2691	0,2434	0,2317