BD243CG TO220 ON
Symbol Micros:
TBD243cg ON
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 65W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 6A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
1424 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0942 | 0,7264 | 0,5620 | 0,5437 | 0,5208 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
110 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9022 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2600 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8229 |
| Verlustleistung: | 65W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 6A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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