BD243CG TO220 ON

Symbol Micros: TBD243cg ON
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 65W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
1140 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
Nettopreis (EUR) 1,0820 0,7174 0,5527 0,5222 0,5151
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3400 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5151
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3385 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5151
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 65W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN