BD243CG TO220 ON
Symbol Micros:
TBD243cg ON
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 65W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO220 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 6A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
1124 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0816 | 0,7196 | 0,5556 | 0,5374 | 0,5146 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9042 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2550 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8248 |
| Verlustleistung: | 65W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO220 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 6A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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Auf Lager
4 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,3074 | 0,2008 | 0,1439 | 0,1259 | 0,1180 |
Standard-Verpackung: 50/1000
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
BD243C RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
40 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,5647 | 0,3416 | 0,2619 | 0,2368 | 0,2254 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
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