BD243CG TO220 ON

Name: TBD243cg ON TBD243cg ON
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TBD243cgON
Price: 0.5209 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBD243cg ON

Gehäuse: TO220

Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	65W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	TO220
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

1300 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0253	0,7506	0,6038	0,5162	0,4878

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220

Externes Lager:

147 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,9009

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220

Externes Lager:

450 stk.

Anzahl Stück	300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4878

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD243CG Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4350 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6421

Verlustleistung:	65W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	TO220
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5872	0,3552	0,2723	0,2463	0,2344