BD243CG TO220 ON
Symbol Micros:
TBD243cg ON
Gehäuse: TO220
Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 65W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | TO220 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 6A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6750 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4606 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2566 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4461 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BD243CG
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4359 |
| Verlustleistung: | 65W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | TO220 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 6A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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