BD245C

Symbol Micros: TBD245c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO-3P
NPN 10A 115V 80W 3MHz NPN 10A 115V 80W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO218
Stromverstärkungsfaktor: 6000
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 2W
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO218
Stromverstärkungsfaktor: 6000
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN