BD249C

Symbol Micros: TBD249c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO218
NPN 25A 100V 125W 3MHz NPN 25A 100V 125W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: 125W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 25
Gehäuse: TO218
Max. Kollektor-Strom [A]: 25A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: BD249C RoHS Gehäuse: TO218  
Auf Lager:
440 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4222 0,9965 0,8468 0,7743 0,7485
Standard-Verpackung:
100/500
Hersteller: ARK Hersteller-Teilenummer: BD249C RoHS Gehäuse: TO218  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4222 0,9965 0,8468 0,7743 0,7485
Standard-Verpackung:
100/500/2000
Verlustleistung: 125W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 25
Gehäuse: TO218
Max. Kollektor-Strom [A]: 25A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN