BD437

Symbol Micros: TBD437

Gehäuse: TO126

NPN 4A 45V 36W 3MHz NPN 4A 45V 36W 3MHz

Parameter

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	85
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BD437 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt

Auf Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2226	0,1227	0,0812	0,0676	0,0636

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD437G Gehäuse: TO126

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3917

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD437G Gehäuse: TO126

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500 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3639

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-10-30

Anzahl Stück: 2000

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	85
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN