BD437

Symbol Micros: TBD437

Gehäuse: TO126

NPN 4A 45V 36W 3MHz NPN 4A 45V 36W 3MHz

Parameter

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	85
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BD437 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt

Auf Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2243	0,1236	0,0818	0,0681	0,0640

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD437G Gehäuse: TO126

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3649

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BD437G Gehäuse: TO126

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3392

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	85
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN