BD442

Symbol Micros: TBD442

Gehäuse: TO126

Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	CDIL
Stromverstärkungsfaktor:	40
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-01-30

Anzahl Stück: 1000

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	CDIL
Stromverstärkungsfaktor:	40
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP