BD442

Symbol Micros: TBD442

Gehäuse: TO126

Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

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Parameter

Verlustleistung:	1,25W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	40
Hersteller:	CDIL
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BD442 RoHS Gehäuse: TO126

Auf Lager:

780 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2551	0,1395	0,0915	0,0756	0,0728

Verlustleistung:	1,25W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	40
Hersteller:	CDIL
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP