BD442

Symbol Micros: TBD442
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: CDIL
Stromverstärkungsfaktor: 40
Grenzfrequenz: 3MHz
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BD442 RoHS Gehäuse: TO126  
Auf Lager:
780 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2473 0,1350 0,0886 0,0733 0,0704
Standard-Verpackung:
500/1000
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: CDIL
Stromverstärkungsfaktor: 40
Grenzfrequenz: 3MHz
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP