BD442 JSMICRO

Symbol Micros: TBD442 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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PNP-Transistor; 40; 1,25W, 80V; 4A; 3MHz, -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BD442G; BD442STU; BD442-CDI; BD442-LGE;
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO126
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD442 RoHS Gehäuse: TO126bulk Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2991 0,1645 0,1089 0,0907 0,0852
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: TO126
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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