BD678 STMicroelectronics

Symbol Micros: TBD678

Gehäuse: TO126

darl.PNP 4A 60V 40W 1MHz darl.PNP 4A 60V 40W 1MHz

Parameter

Verlustleistung:	40W
Hersteller:	STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor:	750
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: TBD678 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4987	0,3011	0,2324	0,2096	0,1995

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD678 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

87301 stk.

Anzahl Stück	950+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1995

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD678 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

53200 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1995

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD678 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

52023 stk.

Anzahl Stück	2750+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1995

Verlustleistung:	40W
Hersteller:	STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor:	750
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP