BD678 STMicroelectronics

Symbol Micros: TBD678
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
darl.PNP 4A 60V 40W 1MHz darl.PNP 4A 60V 40W 1MHz
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: TBD678 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4952 0,2990 0,2308 0,2081 0,1981
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole