BD679

Symbol Micros: TBD679

Gehäuse: TO126

Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz

Parameter

Verlustleistung:	40W
Stromverstärkungsfaktor:	750
Hersteller:	STMicroelectronics
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt

Auf Lager:

60 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4786	0,2900	0,2230	0,2011	0,1914

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

4250 stk.

Anzahl Stück	850+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1914

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

16450 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1914

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

36280 stk.

Anzahl Stück	850+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1914

Verlustleistung:	40W
Stromverstärkungsfaktor:	750
Hersteller:	STMicroelectronics
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN