BD679

Symbol Micros: TBD679

Gehäuse: TO126

Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz

Parameter

Verlustleistung:	40W
Hersteller:	STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor:	750
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt

Auf Lager:

238 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	250+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4845	0,2931	0,2252	0,2011	0,1933

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

113340 stk.

Anzahl Stück	750+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1933

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126

Externes Lager:

48330 stk.

Anzahl Stück	2700+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1933

Verlustleistung:	40W
Hersteller:	STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor:	750
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN