BD679

Symbol Micros: TBD679
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
208 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3712 0,2435 0,1735 0,1499 0,1423
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
110278 stk.
Anzahl Stück 750+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1578
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
46330 stk.
Anzahl Stück 2750+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1423
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN