BD679

Symbol Micros: TBD679
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
208 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3717 0,2439 0,1738 0,1501 0,1425
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
6350 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1756
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD679 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
29330 stk.
Anzahl Stück 2700+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1425
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN